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产物中间
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产物简介

规格:惯例厚度:0.3mm~3mm 惯例尺寸:14mm*20mm、17mm*22mm、22mm*28mm、50mm*50mm、114mm*114mm、139mm*190mm 其余产物尺寸可供给图纸加工定制。

资料:陶瓷粉末

型号:TC028

合用:首要利用于集成电路、芯片、中间处置器、金属氧化物半导体、南北桥芯片、LED散热器、收集通讯装备、电源模块、功率晶体管等范畴

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产物先容 产物参数

碳化硅陶瓷资料具备高温强度大,高温抗氧化性强,耐磨损机能好,热不变性,热彭胀系数小,热导率大,硬度高,抗热震和耐化学腐蚀等杰出特征。在汽车、机器化工、情况掩护、空间手艺、信息电子、动力等范畴有着日趋普遍的利用,已成为一种在良多财产范畴机能杰出的其余资料不可替换的布局陶瓷。


SiC陶瓷的杰出机能与其怪异布局紧密亲密相干。

SiC是共价键很强的化合物,SiC中Si-C键的离子性仅12%摆布。是以,SiC强度高、弹性模量大,具备杰出的耐磨损机能。纯SiC不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液和NaOH等碱溶液腐蚀。在氛围中加热时易产生氧化,但氧化时外表构成的SiO2会按捺氧的进一步分散,故氧化速度并不高。在电机能方面,SiC具备半导体性,少许杂质的引入会表现出杰出的导电性。另外,SiC另有杰出的导热性。

SiC陶瓷的烧结工艺简述以下:

无压烧结

无压烧结被以为是SiC烧结最有前程的烧结体例,按照烧结机理的差别,无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。S.Proehazka经由进程在超细β-SiC粉体(含氧量小于2%)中同时插手适当B和C的体例,在2020℃下常压烧结成密度高于98%的SiC烧结体。A.Mulla等以Al2O3和Y2O3为增添剂在1850-1950℃烧结0.5μm的β-SiC(颗粒外表含有少许SiO2),取得的SiC陶瓷绝对密度大于实际密度的95%,并且晶粒藐小,均匀尺寸为1.5μm。  

热压烧结

不增添任何烧结助剂,纯SiC只要在极高的温度下能力烧结致密,因而不少人对SiC实施热压烧结工艺。对增添烧结助剂对SiC停止热压烧结的报道已有很多。Alliegro等研讨了B、Al、Ni、Fe、Cr等金属增添物对SiC致密化的影响,发明Al和Fe是增进SiC热压烧结最有用的增添剂。F.F.Lange研讨了增添差别量Al2O3对热压烧结SiC的机能影响,以为热压烧结致密是靠消融--再积淀机理。可是热压烧结工艺只能制备外形简略的SiC部件,并且一次热压烧结进程中所制备的产物数目很小,是以倒霉于财产化出产。 

热等静压烧结 

为了降服传统烧结工艺存在的缺点,Duna以B和C为增添剂,接纳热等静压烧结工艺,在1900℃便取得了密度大于98%、室温抗弯强度高达600MPa摆布的细晶SiC陶瓷。虽然热等静压烧结可取得外形庞杂的致密SiC成品,并且成品具备较好的力学机能,可是HIP烧结必须对素坯停止包封,以是很难完成财产化出产。 

反映烧结 

反映烧结S iC又称自连系SiC,是经由进程多孔坯件同气相或液相产生化学反映,使坯件品质增添,孔隙减小,并烧结成具备必然强度和尺寸精度的成品的工艺。是由α—SiC粉和石墨按必然比例混台成坯体后,并加热到1650 ℃摆布,同时熔渗 Si或经由进程气相Si渗透坯体,使之与石墨起反映天生β—SiC,把本来存在的α—SiC颗粒连系起来。 若是渗Si完整,便可获得完整致密、无尺寸缩短的反映烧结体。同别的烧结工艺比拟,反映烧结在致密进程中的尺寸变更小,能够制作尺寸切确的成品,但烧结体中相称数目SiC的存在,使得反映烧结的SiC陶瓷高温机能较差。     

接纳无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反映烧结的SiC陶瓷具备各别的机能特色。如就烧结密度和抗弯强度来讲,热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷绝对较多,反映烧结SiC绝对较低。另外一方面,SiC陶瓷的力学机能还随烧结增添剂的差别而差别。无压烧结、热压烧结和反映烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具备杰出的抵当力,但反映烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温机能比拟来看,当温度低于900℃时,几近一切SiC陶瓷强度均有所进步;当温度跨越1400℃时,反映烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧降落。(这是因为烧结体中含有必然量的游离Si,当跨越必然温度抗弯强度急剧降落而至)对无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷,其耐高温机能首要受增添剂品种的影响。

SiC陶瓷的4种烧结体例各有所长,可是在科技成长如斯敏捷的明天,火急须要进步SiC陶瓷的机能,不时改良制作手艺,下降出产本钱,完成SiC陶瓷的高温烧结。以到达下降能耗,下降出产本钱,鞭策SiC陶瓷产物财产化的目标。


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